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跨入锗时代（第1页）

跨入锗时代

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真正开创半导体时代的材料原本不是硅，而是一种名为锗的元素。

前文提到碳元素与硅元素在周期表中同属一列，而锗元素则在下方紧挨着硅元素，三者在性质上自然有许多相同之处。

因此，锗元素也为半导体的发展立下了汗马功劳。

第二次世界大战后，最早利用锗元素开发出新设备的是美国的贝尔实验室。

该实验室原本是美国电话电报公司（AT&T）的研究部门。

AT&T在全美开展长途电话业务时发现这样一个问题：随着距离的增加，声音信号出现衰减现象，导致双方难以听清通话声，而解决这个问题只能依靠音频信号增幅设备。

1947年，约翰·巴丁（1908—1991）、沃尔特·布拉顿（1902—1987）和威廉·肖克利（1910—1989）三人首次实现了锗晶体管实用化。

最初的产品被称作点接触式锗晶体管，在实用性方面还有极大的欠缺。

后来，肖克利又开发出物理特性极其稳定的NPN型晶体管。

第二年，随着晶体管的技术公开，全世界的技术人员敏锐地捕捉到技术的发展方向。

当时所使用的真空管寿命最长不过数千小时，这就导致刚问世不久的ENIAC不得不一天数次更换真空管。

然而，新问世的晶体管不仅寿命长、价格低，而且可以做得极为小巧。

据当时参与晶体管研究的日本人回忆，看到极其细小的晶体管时，他不由得感到“这是种令人毛骨悚然的发明”

。

巴丁（左）、肖克利（中）、布拉顿（右）

晶体管的问世开启了半导体产业兴盛发展的新篇章。

成功开发出晶体管收音机的东京通信工业以此为契机，发展成了名震世界的索尼公司。

1960年，电视之所以能登上“娱乐之王”

的宝座，晶体管的功劳不可磨灭。

而巴丁、布拉顿和肖克利三人也因为发明晶体管的功绩而荣获了1956年的诺贝尔物理学奖。

1947年发明的首个晶体管（复制品）

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